东芝UFS闪存不完全一览(含命名规则举例)

东芝UFS闪存不完全一览(含命名规则举例)

东芝UFS闪存不完全一览(含命名规则举例) by 墨韵GS (2017年4月25日)

第一代 (2013年1月) 24nm制程,接口协议:UFS1.1,HS-G2 1-Lane(2.9Gbps)

THGLF0G9B8JBAIE MLC UFS1.1 64GB 12x16x1.2 FBGA169

第二代 (2014年4月) 19nm制程,接口协议:UFS2.0,HS-G3 2-Lane(11.6Gbps)

THGLF2G8C4KBADR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9C8KBADG MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.2 FBGA153

第三代 (2015年12月前*) 15nm制程,接口协议:UFS2.0,HS-G3 2-Lane(11.6Gbps)

THGLF2G8J4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9J8LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

第四代 (2016年3月前*) 15nm制程,接口协议:UFS2.0,HS-G3 2-Lane(11.6Gbps)

THGBF7G8K4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7G9L4LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7T0L8LBATA MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.04 FBGA153

第五代 (2016年10月) 15nm制程,接口协议:UFS2.1,HS-G3 2-Lane(11.6Gbps)

THGAF4G8N2LBAIR MLC UFS2.1 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4G9N4LBAIR MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4T0N8LBAIR MLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153

*准确起始交付时间未找到

————————————————————————————

命名规则举例:THGAF4G9N4LBAIR(UFS2.1,15nm,MLC)

字符1: T: "Toshiba" 东芝


字符2: H: "Multi-chip" 多芯片封装


字符3: G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路


字符4: A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型


字符5: F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS


字符6: 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4


字符7: G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示


字符8: 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方,512G bits,即64GB


字符9: N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC


字符10: 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4


字符11: L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm


字符12-13: BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装


字符14: I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC 工业版本


字符15: R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小

其中,第9个字符闪存架构有关:


1)SLC(Single-Level Cell)为S或H;

2)DLC(Dua-Level Cell)为D或E【不常见】;

3)TLC(Triple-Level Cell)为T或U;

4)MLC(Multi-Level Cell)为B、C、J、K、L、N 等。

————————————————————————————


toshiba.com/taec/adinfo

triton-prog.ru/Dnl/Nand

东芝发布UFS 2.1闪存:15nm MLC,读取速度850MB/s

东芝开始提供业内首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND闪存模块的样品出货

UFS | TOSHIBA Storage & Electronic Devices Solutions Company | Americas

Toshiba and Qualcomm Set to Introduce UFS 2.0 Solutions in 2014

Toshiba America Electronic Components, Inc.

toshiba.semicon-storage.com

————————————————————————————

水平有限,时间仓促,错漏请予以指正。

编辑于 2017-05-06