rTMS经颅磁治疗仪

一、经颅磁脉冲疗法rTMS

经颅磁的电容器内的电荷迅速释放时,放置在头部上方的线圈中通入脉冲电流,进而在线圈周围产生脉冲磁场,磁力线以较小的阻力无创伤地穿透颅骨,到达皮层,在皮层内产生可传导的感应电流,从而治疗相应的脑神经单元。



研究表明低频治疗时血流减少,高频治疗时血流增加。rTMS虽然治疗的是大脑皮层,但是对脑部深部组织如基底节、纹状体、海马、丘脑、小脑及边缘叶等也有作用。在内源性因素诱导下突触结构可改变和传递的增强或减弱。有利于神经细胞生长,形成新的树突和轴突,可通过调节突触功能影响神经网络重建。高频重复刺激,突触后神经元快速产生持续性(>30分钟)的传递增强(LTP);低频重复刺激,产生持续性的传递减弱(LTD)。LTP和LTD是海马突触性最广泛的形式,脑源性营养因子(BDNF)能调节突触传递。



据rTMS的脉冲不同,我们可以将TMS分为三种刺激模式:单脉冲TMS(single-pulse TMS, sTMS)、对脉冲TMS(paired-pulse TMS, pTMS)和重复性TMS(repetitive TMS, rTMS)。爆发式刺激(theta burst stimulation,TBS)是新型的一种 rTMS。



单脉冲TMS(single-pulse TMS, sTMS):sTMS由手动控制无节律脉冲输出,也可以激发多个刺激,但是刺激间隔较长(例如10 秒) ,多用于常规电生理检查。

对脉冲TMS(paired-pulse TMS, pTMS): 成对刺激主要用于检测皮质神经的兴奋性与抑制性、皮质之间的传导与功能完整性。

重复经颅磁治疗( rTMS):是一连串持续作用于大脑局部的TMS脉冲,刺激强度不变,刺激频率每秒l ~20次或更高。

爆发式刺激(theta burst stimulation,TBS):也叫短阵快速脉冲经颅磁刺激。与常规rTMS的刺激序列不同,其增加了各种爆发式簇装或丛状刺激模式,每一个簇、丛相当于常规rTMS的一个脉冲,多个丛刺激组合在一起相当于常规rTMS的一个串刺激。 可通过更小的刺激强度和更短的刺激时间产生更强的脑可塑性变化。 TBS模式较rTMS:刺激强度更低、刺激时间更短、刺激效果更好。

持续theta脉冲磁治疗(cTBS):每丛3pules/50HZ,连续200丛,600串,用时40S。可产生长时程抑制(LTD),能快速引起神经功能的抑制性,主要作用于健侧侧大脑皮质。具有4pules,四联脉冲刺激。

间断theta脉冲磁治疗(iTBS):可诱发长时程增强(LTP),可诱导神经功能产生长时程兴奋性增加,主要作用于患侧大脑皮质。



二、经颅磁疗法在康复科的应用

1.中风后运动功能障碍

在运动功能康复的过程中,通过抑制非受累侧半球皮质兴奋性或易化患侧半球皮质兴奋性可以使半球间抑制平衡正常化。rTMS应用于脑卒中后的功能重组正是基于这个原理。



脑卒中肢体运动临床治疗建议处方(供参考):低频刺激健侧M1区,频率0.6HZ,刺激10S,间歇时间5S,20分钟。高频刺激左额叶背外侧(LDPFC):频率10HZ,刺激3S,间歇时间35S, 15分钟。




2.脑卒中后失语症

脑卒中后失语症患者,左侧半球病灶及周围残留语言区功能的补偿,右侧半球语言镜像区功能的代偿,右侧半球语言镜像区抑制 左侧病灶及周围功能恢复。右侧半球起到有效代偿的程度取决于损伤的进程,语言区的激活是一个动态的过程。评估每一种语言功能恢复机制在患者某个时期功能恢复中的角色,制定个性化方案。



失语症临床治疗建议处方(供参考):

慢性失语症患者,右侧 Broca 区,频率 1Hz的 rTMS,强度 90%MT,刺激 20min,每周 5d,为期 2周 。

左侧 Broca 区,高频5HZ的 rTMS,强度 80%MT,刺激 20min,每周 5d,为期 2周 。

中重度慢性失语 症:左半球 Broca区,iTBS,强度 80%MT,为期 2周 ,每周 5d。



3.吞咽障碍

1997年 Hamdy等首次利用TMS研究脑卒中后吞咽障碍恢复的相关机制,该研究共选取28例单侧半球脑卒中患者,通过对其双侧脑半球进行多点磁刺激,记录与吞咽功能相关的咽部和手部肌电反应,发现脑卒中后吞咽障碍恢复在很大程度上与非受累侧脑半球皮质功能重建有关 。

1998年Hamdy等对20例脑卒中后吞咽障碍患者再次进行研究,经数周治疗后发现,患者吞咽功能恢复仍有赖于正常脑半球代偿功能建立。

Verin和Leroi评估了1Hz的低频 rTMS治疗脑卒中后吞咽障碍的可行性和有效性。他们采用1Hz的rTMS,刺激强度为 120%运动阈值,每天一次,每次刺激20rain,共持续5d,刺激部位是下颌舌骨肌的健侧大脑的皮质代表区。

吞咽障碍临床治疗建议处方(供参考):

剂量:低频1Hz,健侧大脑半球,找出MEP最大刺激点,测量运动阈值MT;刺激量:120%MT,刺激时间:20分钟,每天1次,共5次治疗。

定位:先确定颅顶Cz点,前移2-4cm,侧移4-6cm;或者两耳连线与眉中、枕突连线交点,旁开7.5cm。



三 北京特科rTMS治疗仪

经颅磁刺激磁力线能够无创伤地穿透颅骨和血脑屏障,直接作用在脑细胞和脑组织上,在脑内能生成应电流和感应电场,感应电流可增加细胞膜电位,提高细胞膜的通透性,促进细胞内分泌,加快神经元的发育成长,激发细胞轴突极化,修饰儿童发育期神经网络信号的错误链接,加快神经网络功能重建,改善大脑神经功能。大量的临床研究证明这种治疗方法是传统的药物和其他物理治疗方法无法实现的。


  2014年中国残联将HX系列脉冲磁治疗仪儿童家用型列入中国小儿脑瘫救治工程唯一指定产品后,各省儿童康复中心普遍评价对小儿脑瘫、癫痫、大脑发育迟缓、多动症、自闭症、抽动症效果明显。

发布于 2018-05-29